紫外激光直寫光刻機(jī)

一、核心原理：無掩模直寫，高精度可控曝光

系統(tǒng)采用405nm 紫外激光為光源，結(jié)合聲光調(diào)制器與高精度振鏡協(xié)同控制，經(jīng)高數(shù)值孔徑物鏡聚焦至光刻膠表面；通過專用軟件導(dǎo)入設(shè)計圖形，直接轉(zhuǎn)化為激光掃描軌跡，逐點(diǎn)完成高精度曝光，全程無需掩模，大幅縮短研發(fā)周期、降低打樣成本。

二、核心優(yōu)勢：精度、幅面、適配性三位一體

1. 超高加工精度，亞微米級穩(wěn)定輸出

• 最小線寬：0.25μm（250nm），滿足微納結(jié)構(gòu)分辨率需求。

• 定位精度：XY 雙向重復(fù)定位精度≤120nm，最小移動步距≤50nm。

• 拼接精度：相鄰曝光區(qū)域拼接誤差≤150nm，大面積加工無明顯接縫。

2. 大面積加工，兼顧效率高

最大加工范圍可達(dá)48×48mm2，支持全域連續(xù)圖形制備；通過精密拼接技術(shù)，平衡大幅面加工與亞微米級精度，適配微型顯示芯片等大面積光電器件研發(fā)。

3. 超緊湊設(shè)計，適配手套箱惰性環(huán)境

機(jī)身一體化集成，體積小巧，可直接放入手套箱內(nèi)，在氮?dú)狻鍤獾群愣ǘ栊苑諊羞\(yùn)行，有效隔絕水汽、氧氣干擾，適配鈣鈦礦、二維材料等氛圍敏感材料的加工與測試場景。

4. 靈活高效，適配多場景研發(fā)需求

專用操作軟件支持圖形自由設(shè)計、修改與導(dǎo)入，兼容 GDS 等常用格式；支持多種曝光模式，兼顧科研小批量打樣與中試小批量生產(chǎn)，無需額外掩模制作，顯著縮短研發(fā)周期。

三、核心技術(shù)參數(shù)

四、典型應(yīng)用場景

1. 光電器件研發(fā)：微型顯示芯片、LED、光電探測器、微透鏡陣列等微納結(jié)構(gòu)圖形化制備。

2. 敏感材料研究：鈣鈦礦、二維材料、量子點(diǎn)等氛圍敏感材料的器件原型制備與工藝驗(yàn)證。

3. MEMS 與傳感器：微機(jī)電系統(tǒng)、微電極、微流控芯片的高精度圖形加工。

4. 先進(jìn)封裝：半導(dǎo)體先進(jìn)封裝重分布層（RDL）、凸塊（Bumping）等環(huán)節(jié)圖案化。