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產(chǎn)品中心

當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心雙折射測量儀膜厚測量儀ME-210-T膜厚測量儀

ME-210-T膜厚測量儀
產(chǎn)品簡介:

ME-210-T膜厚測量儀為一種光學(xué)系膜厚測量裝置,這個裝置的特點是可以高精度測量1nm一下的極薄膜,也適合測量玻璃等透明基板上的薄膜。ME-210-T 活用了本公司*的偏光Senor 技術(shù),將不能變?yōu)榭赡埽酝募夹g(shù)是無法測量0.5mm厚的玻璃基板,在這項技術(shù)下,可進行極薄膜的高精度測量,舉例來說顯示器用的ITO膜或配向膜的評估,也可運用ME-210-T輕松達成。

產(chǎn)品型號:

更新時間:2026-01-13

廠商性質(zhì):代理商

訪問量:3165

服務(wù)熱線

010-69798892

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產(chǎn)品介紹
品牌Photonic Lattice價格區(qū)間面議
組成要素半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備產(chǎn)地類別進口
應(yīng)用領(lǐng)域電子/電池

ME-210-T膜厚測量儀適用透明基板的高速Mapping橢偏儀,可測量透明基板上的光阻膜及配向膜分布。

ME-210-T膜厚測量儀

橢偏儀為一種光學(xué)系膜厚測量裝置,膜厚測量儀這個裝置的特點是可以高精度測量1nm一下的極薄膜,也適合測量玻璃等透明基板上的薄膜。

ME-210-T膜厚測量儀用了本公司*的偏光Senor 技術(shù),將不能變?yōu)榭赡?,以往的技術(shù)是無法測量0.5mm厚的玻璃基板,在這項技術(shù)下,可進行極薄膜的高精度測量,舉例來說顯示器用的ITO膜或配向膜的評估,也可運用ME-210-T輕松達成。

ME-210-T的高精度膜厚分布資料,定會對優(yōu)良的薄膜產(chǎn)品的生產(chǎn)有的用途。


特點

1,高效的測量速度(每分約1000點:)可短時間內(nèi)取得高密度的面分布數(shù)據(jù)。

ME-210-T膜厚測量儀

2,微小領(lǐng)域量測(20un左右)可簡單鎖定&測量任一微小區(qū)域。

ME-210-T膜厚測量儀


3,可測量透明基板

適用于解析玻璃基板上的極薄膜。

ME-210-T膜厚測量儀


測量實例

涂布膜邊緣擴大測量

可階段性擴大微小領(lǐng)域,然后獲得詳細(xì)的膜厚分布數(shù)據(jù)。

ME-210-T膜厚測量儀

GaAs Wafer 上酸化膜厚的分布測量

縮小膜厚顯示范圍,膜厚差距不大的樣品,也可以簡單評估、比較其分布狀況。


設(shè)備參數(shù)

項目

規(guī)格

光源

半導(dǎo)體激光(636nm、class2)

小測量領(lǐng)域

廣域模式:0.5mm×0.5mm

高精細(xì)模式:5.5um×5.5um

入射角

70『deg』

測量再現(xiàn)性

膜厚:0.1nm 折射率:0.001     ※1

大測量速度

1000point/min(廣域模式)

5000point/min(高精密模式)

載物臺

行程:XY200mm以上

大移動速度:約40mm/scc

尺寸/重量

約650×650×1740mm(W×D×H)/約200kg

電源

AC100V

備注

※1:此數(shù)值是以廣域模式測量SiO2膜(膜厚約100mm)其中一點,重復(fù)測量100次后的標(biāo)準(zhǔn)偏差值





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